Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFIBE30GPBF
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFIBE30G
IRFIBE30GPBF Hakkında
IRFIBE30GPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 2.1A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 3Ohm maksimum RDS(on) değerine ulaşır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 35W güç dağılımı kapasitesine sahip bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrolü ve enerji dönüştürme devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 78 nC gate yükü ve 1300 pF giriş kapasitanslı tasarımı, hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok