Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFIBE30G

MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFIBE30G

IRFIBE30G Hakkında

IRFIBE30G, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 pakette sunulan bu bileşen 800V drain-source voltajı ve 2.1A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. Rds(on) değeri 10V gate voltajında 3Ohm olarak belirlenmiştir. Maksimum 35W güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunar. Gate charge değeri 78nC (@10V) ve input capacitance 1300pF (@25V) olarak tasarlanmıştır. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç anahtarlama devrelerinde, AC/DC konverterlerde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Bileşen şu anda üretim dışıdır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok