Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFIBC20G

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFIBC20G

IRFIBC20G Hakkında

IRFIBC20G, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 1.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde gelen bu bileşen, anahtarlama ve güç uygulamalarında kullanılır. 4.4Ω (1A, 10V koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve 30W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Gate voltajı ±20V olabilir ve 18nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlamaya uygun karakteristiklere sahiptir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürücü devreleri ve kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok