Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFIB8N50K

MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFIB8N50K

IRFIB8N50K Hakkında

IRFIB8N50K, Vishay tarafından üretilen 500V dayanım voltajına sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. Maksimum 6.7A sürekli dren akımı ve 45W güç tüketim kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 350mOhm RDS(on) değeri ile verimli bir iletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. TO-220-3 kasa türünde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol ve yüksek gerilim switch uygulamalarında tercih edilir. Gate şarj değeri 89nC ve giriş kapasitansi 2160pF'dir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2160 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok