Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFIB7N50APBF
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFIB7N50A
IRFIB7N50APBF Hakkında
IRFIB7N50APBF, Vishay tarafından üretilen 500V N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 6.6A kontinü dren akımı ve 520mΩ @ 4A,10V RDS(on) değeri ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Gate charge değeri 52nC @ 10V'dur ve maksimum 60W güç tüketebilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. Entegre Schottky diyot, parasitik koruma sağlayarak devreyi açık devre kaynaklı gerilim spiklarından korur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1423 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok