Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFIB7N50A

MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFIB7N50A

IRFIB7N50A Hakkında

IRFIB7N50A, Vishay tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 6.6A sürekli dren akımı ve maksimum 60W güç tüketimine sahiptir. 520mΩ (10V gate voltajında, 4A'de) on-state direnci ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. Gate charge karakteristiği 52nC olup, hızlı komütasyon gerektiren devrelerde etkin kullanım imkanı sunar. ±30V gate voltaj aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrolü, anahtar regülatörler ve benzer uygulamalarda kullanılan yüksek voltaj FET çözümüdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1423 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok