Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFIB6N60APBF
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFIB6N60APBF
IRFIB6N60APBF Hakkında
IRFIB6N60APBF, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim yeteneği ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 5.5A sürekli drain akımı ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. 10V gate sürücü geriliminde 750mOhm maksimum Rds(on) değeri düşük kayıp işlemi sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş çalışma aralığına sahiptir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok