Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFIB5N65APBF
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFIB5N65APBF
IRFIB5N65APBF Hakkında
Vishay IRFIB5N65APBF, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 5.1A sürekli dren akımı ve 930mOhm maksimum RDS(on) değeri ile açık/kapalı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V sürücü voltajında çalışan transistör, -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç kaynağı kontrolü, LED sürücüleri, endüstriyel anahtarlama devreleri ve AC/DC dönüştürücü tasarımlarında uygulanır. 48nC kapı yükü ve 1417pF giriş kapasitanslı yapı, hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1417 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 930mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok