Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFIB5N65A
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFIB5N65A
IRFIB5N65A Hakkında
IRFIB5N65A, Vishay tarafından üretilen 650V dayanıklı N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 930mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybı minimize edilir. Güç kaynakları, motor kontrolü, enerji dönüştürücüler ve anahtarlama devrelerinde tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1417 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 930mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok