Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFI840BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IRFI840B

IRFI840BTU Hakkında

IRFI840BTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 800mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 53nC olup, hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Endüstriyel kontrol, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama güç elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok