Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFI830GPBF

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFI830G

IRFI830GPBF Hakkında

IRFI830GPBF, Vishay tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 3.1A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 1.5Ohm maksimum Rds(on) değeriyle verimli anahtarlama sağlar. 500V drain-kaynak gerilimi, yüksek voltajlı dc-dc dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ile güvenli kullanım sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 35W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok