Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFI820GPBF

MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFI820G

IRFI820GPBF Hakkında

IRFI820GPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drenaj-kaynak gerilimi ve 2.1A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 30W maksimum güç dağıtımına sahiptir. 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmuştur. Yüksek voltaj anahtarlama, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 4V threshold gerilimi ile kontrol devreleriyle uyumlu çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok