Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFI7536GPBF-IR

HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFI7536

IRFI7536GPBF-IR Hakkında

IRFI7536GPBF-IR, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 60V drain-source gerilimi ve 86A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 3.4mΩ düşük RDS(on) değeri ısıl kaybı minimize eder. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 75W maksimum güç dağıtımına dayanır. Gate şarjı 195nC @ 10V ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 86A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 48 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok