Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFI644GPBF

MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFI644G

IRFI644GPBF Hakkında

IRFI644GPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 7.9A sürekli drain akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketlemesi ile PCB'ye direk montaj yapılabilen bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve elektrik şebeke uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilebilen transistör, 280mOhm maksimum RDS(on) değeri ve 40W güç disipasyon kapasitesi ile verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.7A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok