Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFI640GPBF

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFI640G

IRFI640GPBF Hakkında

IRFI640GPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj ve 9.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü voltajında 180mΩ maksimum Rds(on) değeri ile endüstriyel motor kontrol devreleri, güç kaynakları, ışık kontrol sistemleri ve invertör uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 40W maksimum güç yayılımı yapabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.9A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok