Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFI640G

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFI640G

IRFI640G Hakkında

IRFI640G, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 9.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında 40W güç saçıtma kapasitesi bulunmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve gerilim regülatörlerinde kullanılır. Gate yükü 70nC olup, 1300pF giriş kapasitansına sahiptir. Cihaz obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.9A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok