Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFI630BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IRFI630B

IRFI630BTU Hakkında

IRFI630BTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V Drain-Source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılır. 400mOhm (@ 4.5A, 10V) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve anahtarlamalı regülatör uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışan transistör, 72W (soğutma ile) güç dağıtabilir. Gate charge (29nC @ 10V) ve input capacitance (720pF @ 25V) özellikleri ile hızlı anahtarlama kabiliyetine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok