Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFI620GPBF

MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFI620G

IRFI620GPBF Hakkında

IRFI620GPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 4.1A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı sürü voltajında 800mOhm maksimum açık kanal direncine (Rds On) sahiptir. 14nC kapı yükü ve 260pF giriş kapasitansi özellikleriyle düşük geçiş kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, güç denetim, elektrik motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Izole montaj sekmesiyle termal yönetim kolaylığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok