Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFI614BTUFP001
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFI614
IRFI614BTUFP001 Hakkında
IRFI614BTUFP001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 250V drain-source gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun bir transistördür. 25°C'de 2.8A sürekli drain akımı (Id) ile orta güç devrelerinde çalışabilir. Maksimum RDS(on) değeri 2Ω (1.4A, 10V koşullarında) olarak belirtilmiştir. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır ve 4V kapı eşik gerilimi (Vgs(th)) ile güvenilir anahtarlama sağlar. 40W maksimum güç dağılımı kapasitesi (Tc) ile kontrollü ortamlarda kullanılabilir. TO-262 (I²Pak) pakajında sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama ortamlarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 275 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok