Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFI530NPBF

MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFI530

IRFI530NPBF Hakkında

IRFI530NPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide FET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu MOSFET bileşeni, 100V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 110mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu transistör, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor denetim uygulamaları ve konvertör tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, maksimum 41W güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında güvenilir çalışma sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB Full-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok