Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFI530N
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFI530N
IRFI530N Hakkında
IRFI530N, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 12A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 Full Pack paketinde sağlanan bu bileşen, 110mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen cihaz, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi sistemlerinde uygulanabilir. Gate charge değeri 44nC olup hızlı anahtarlama sürelerine olanak tanır. Bileşen Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok