Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFI520N
MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220AB FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFI520N
IRFI520N Hakkında
IRFI520N, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 7.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtar ve amplifikasyon devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 10V kapı geriliminde 200mOhm (Max) on-state direnci ile verimli anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 30W maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok