Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFI4229PBF

MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFI4229

IRFI4229PBF Hakkında

IRFI4229PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source voltajı ve 19A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 46mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 46W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile güç kaynakları, motor kontrol, DC-DC konverterler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel ortamlarda kullanım olanağı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4480 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok