Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFI1010NPBF-IR
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFI1010N
IRFI1010NPBF-IR Hakkında
IRFI1010NPBF-IR, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 49A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketlemesi ile standart güç devresi tasarımlarında yer alır. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve anahtar devrelerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 130nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB Full-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok