Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFI1010NPBF

MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFI1010N

IRFI1010NPBF Hakkında

IRFI1010NPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-kanallı güç MOSFET transistörüdür. 55V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 49A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V kapı sürü geriliminde 12mΩ (maksimum) Rds(on) direnci ile verimli anahtarlama sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 58W maksimum güç dağıtım kapasitesi sayesinde, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, ışık denetim sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 130nC kapı yükü ve 2900pF giriş kapasitanı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 26A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB Full-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok