Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFHS8342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON

Paket/Kılıf
6-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRFHS8342TR

IRFHS8342TRPBF Hakkında

IRFHS8342TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8.8A sürekli drenaj akımı (25°C'de) ile tasarlanmıştır. 16mΩ maksimum RDS(On) değeri düşük açılış direnci gerektiren uygulamalarda verimli çalışmayı sağlar. Surface Mount paketi (6-PowerVDFN) ile PCB integre edilebilir. Sürücü devrelerine, güç yönetimi, LED kontrolü ve voltaj regülatörleri gibi anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) endüstriyel ortamlara uygunluğunu arttırır. Düşük gate charge (8.7nC) ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok