Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFHS8342TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON

Paket/Kılıf
6-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRFHS8342

IRFHS8342TR2PBF Hakkında

IRFHS8342TR2PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında çalışabilen bu bileşen, 25°C'de 8.8A (Ta) ve Tc'de 19A sürekli dren akımı sağlar. 16mOhm (10V, 8.5A) on-state direnci ile güç uygulamalarında verimli şekilde kullanılabilir. 6-PowerVDFN (PG-TSDSON-6) SMD paketinde sunulan bu MOSFET, düşük gate charge (8.7nC @ 10V) ve giriş kapasitansı (600pF @ 25V) özellikleriyle anahtarlama uygulamalarına uygundur. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalar için tasarlanmıştır. Ürün obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok