Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFHM8342TRPBF

IRFHM8342 - 12V-300V N-CHANNEL P

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRFHM8342

IRFHM8342TRPBF Hakkında

IRFHM8342TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 10A (Ta) / 28A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 16mOhm maksimum On-State direnci (RDS(on)) ile verimli güç transferi sağlar. Surface Mount 8-PowerVDFN paketinde sunulan bu transistör, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik devrelerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 2.6W (Ta) / 20W (Tc) güç dissipasionu kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok