Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFHM8337TRPBF-IR
MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFHM8337
IRFHM8337TRPBF-IR Hakkında
IRFHM8337TRPBF-IR, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim derecesinde 12A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-pin PowerVDFN (3.3x3.3mm) yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. Düşük on-state direnci (RDS(on)) 12.4mΩ @ 12A, 10V ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamaya dayalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 755 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok