Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFHM8337TRPBF

MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IRFHM8337

IRFHM8337TRPBF Hakkında

IRFHM8337TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN (3.3x3.3mm) yüzey montajlı paketinde sunulur. 12.4mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına uygun olan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 2.35V kapı eşik gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyelerine uyumludur. Parça obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 755 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok