Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFHM8334TRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A/43A 8PQFN DL

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRFHM8334

IRFHM8334TRPBF Hakkında

IRFHM8334TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 13A (Ta) / 43A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-PowerVDFN (3.3x3.3mm) yüzey montajı paketi içinde sunulur. Düşük Rds On direnci (9mΩ @ 20A, 10V) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol ve genel amaçlı DC-DC converterlerde kullanılır. Gate charge değeri 15nC (10V) ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 43A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok