Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFHM8329TRPBF
MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFHM8329
IRFHM8329TRPBF Hakkında
IRFHM8329TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 16A sürekli dren akımı (Ta @ 25°C) ile tasarlanmıştır. Düşük on-state direnç (Rds On) değeri olan 6.1mΩ @ 20A/10V ile enerji verimliliği sağlar. 8-pin PQFN (3x3mm) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 33W güç saçabilir (Tc). Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük gate charge değeri (26nC) ile kompakt ve verimli tasarımlara uygun bir komponenttir. Ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 57A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1710 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.6W (Ta), 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PQFN (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok