Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFHM831TRPBF

MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IRFHM831

IRFHM831TRPBF Hakkında

IRFHM831TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 14A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, 7.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kaybı sağlar. Surface Mount PQFN 3x3 paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. ±20V gate-source gerilimi aralığı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı, geniş uygulama yelpazesi sunar. Bileşen obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package PQFN (3x3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok