Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFHM831TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 14A PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IRFHM831

IRFHM831TR2PBF Hakkında

IRFHM831TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ile 14A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük açık direnç değeri (7.8mΩ @ 12A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimlilikleri artırır. Surface Mount PQFN (3x3) paketinde sunulan bu transistör, 16nC gate charge ve 1050pF input capacitance özellikleriyle anahtarlama hızını destekler. DC-DC dönüştürücüler, motorlu uygulamalar, güç yönetimi devreleri ve yüksek akım anahtarlaması gereken endüstriyel elektronik tasarımlarında kullanım için uygundur. RoHS uyumlu olup, Vgs(th) 2.35V @ 25µA şartlarında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package PQFN (3x3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok