Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFHM830TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFHM830
IRFHM830TRPBF Hakkında
IRFHM830TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 21A sürekli akım (25°C'de) veya 40A akım (soğutma levhası ile) kapasitesi ile tasarlanmıştır. 3.8mΩ maksimum on-direnci (RDS-On) düşük enerji kaybı sağlar. PowerVDFN 8-pin paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük gate charge karakteristikleri ile hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur. SMD montajı için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2155 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok