Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFHM830TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-VQFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFHM830
IRFHM830TR2PBF Hakkında
IRFHM830TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 21A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 3.8mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve 31nC gate charge karakteristiğine sahiptir. 8-pin VQFN (3x3mm) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. Güç anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel devrelerde kullanılır. 2.35V threshold voltajı ile TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumludur. Bileşen şu anda obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2155 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-VQFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PQFN (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok