Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFHM830DTRPBF
MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-VQFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFHM830
IRFHM830DTRPBF Hakkında
IRFHM830DTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj desteği ile 20A (Ta) veya 40A (Tc) sürekli drain akımı sağlayabilir. 4.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük konduktans kaybı sunar. 8-VQFN (3x3mm) yüzey montajlı pakette sunulan bileşen, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Not: Bu ürün üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1797 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-VQFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PQFN (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok