Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFHM830DTR2PBF
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-VQFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFHM830
IRFHM830DTR2PBF Hakkında
IRFHM830DTR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 20A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 4.3mΩ RDS(on) değeri (20A, 10V) ile düşük iletim direnci sunar. 8-VQFN (3x3mm) yüzey montaj paketi ile kompakt uygulamalar için uygundur. MOSFET teknolojisine dayalı bu komponent, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. Gate Charge 27nC (10V) ve Input Capacitance 1797pF (25V) ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Vgs(th) 2.35V ile düşük kapı geriliminde çalışabilir. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1797 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-VQFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PQFN (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok