Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFHM4234TRPBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-TQFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
IRFHM4234

IRFHM4234TRPBF Hakkında

IRFHM4234TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 25V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı ile çalışan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-TQFN paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, DC-DC konvertörleri, enerji yönetim sistemleri ve güç anahtarlama devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1011 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-TQFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 30A, 10V
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok