Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH8337TRPBF

MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH8337

IRFH8337TRPBF Hakkında

IRFH8337TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 12A (Ta) / 35A (Tc) sürekli drain akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 12.8mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PQFN (5x6) yüzey montajı paketlemesiyle kompakt PCB tasarımlarına uyum gösterir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Motor sürücüler, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. 10V gate sürüş voltajında 10nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özellikleri sunmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok