Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH8337TRPBF

MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH8337

IRFH8337TRPBF Hakkında

IRFH8337TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj (Vdss) desteğiyle tasarlanmış olup, 12A sürekli (Ta) ve 35A geçici (Tc) akım kapasitesine sahiptir. Surface Mount PQFN (5x6) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(On) değeri (12.8mOhm @ 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans sağlar. LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 3.2W (Ta) ve 27W (Tc) güç dağılımı kapasitesi vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok