Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH8318TRPBF

MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH8318

IRFH8318TRPBF Hakkında

IRFH8318TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 27A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. Güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücü devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük RDS(on) değeri (3.1mOhm @ 20A, 10V) sayesinde ısı kaybını minimize eder. Surface mount 8-PowerTDFN (5x6mm) pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve endüstriyel kontrol, otoomotiv ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta), 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3180 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok