Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH8318TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH8318

IRFH8318TR2PBF Hakkında

IRFH8318TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 27A sürekli drain akımı (Ta) ile çalışan bu bileşen, düşük on-direnç değeri (3.1mΩ @ 20A, 10V) ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface Mount PQFN 8-PowerTDFN (5x6) paketinde sunulan bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 2.35V gate-source eşik gerilimi ile kolay sürülebilir ve 41nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta), 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3180 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok