Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFH8316TRPBF-IR
IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFH8316
IRFH8316TRPBF-IR Hakkında
IRFH8316TRPBF-IR, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 2.95mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-PQFN paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. Gate charge değeri 59nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun yapılandırmaya sahiptir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3610 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 59W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.95mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok