Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFH8202TRPBF
MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFH8202
IRFH8202TRPBF Hakkında
IRFH8202TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 47A (25°C'de) / 100A (junction'da) sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.05mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface Mount 8-PQFN (5x6) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve ticari elektronik sistemlerde güvenilir anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7174 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok