Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH8201TRPBF

MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH8201

IRFH8201TRPBF Hakkında

IRFH8201TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltajı ile 49A sürekli akım (Ta) ve 100A termal akım (Tc) kapasitesine sahiptir. 0.95mOhm on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PQFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve motor kontrolünde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 156W (Tc) güç dağıtabilir. Hızlı anahtarlama ve verimli enerji yönetimi gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7330 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok