Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH7921TRPBF-IR

IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH7921

IRFH7921TRPBF-IR Hakkında

IRFH7921TRPBF-IR, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source voltaj derecelendirmesi ve 15A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8.5mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, PQFN (5x6) Surface Mount paketlemesinde sunulur. Motor kontrolleri, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package PQFN (5x6) Single Die
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok