Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH7914TRPBF

IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH7914

IRFH7914TRPBF Hakkında

IRFH7914TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilim derecelendirmesi ve 15A sürekli dren akımı ile çalışır. 8.7mOhm RDS(on) değeri ile düşük elektrik direnci sunarak sürüş devrelerinde minimum enerji kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi 2.35V olup, ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı imkanı tanır. Surface Mount 8-PQFN paketlemesinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynağı devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok