Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH7194TRPBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH7194

IRFH7194TRPBF Hakkında

IRFH7194TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 35A maksimum drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 16.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu MOSFET, güç dönüştürücüler, motor sürücüler, LED aydınlatma kontrol devreleri ve şarj yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 39W maksimum güç hızlı iletilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 733 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.4mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok