Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFH7187TRPBF

MOSFET N-CH 100V 18A/105A 8PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH7187

IRFH7187TRPBF Hakkında

IRFH7187TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 18A sürekli drain akımı (Ta=25°C) ile çalışan bu bileşen, 6mΩ maksimum on-direnci (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 8-PQFN (5x6mm) yüzey montajlı pakette sunulan IRFH7187TRPBF, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge 50nC ve Vgs(th) 3.6V değerleriyle hızlı anahtarlamaya uygundur. Güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek frekanslı uygulamalarında kullanılır. Maksimum 132W güç dağıtım kapasitesi (Tc=25°C) ile verimli termal yönetim sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta), 105A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2116 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok